首先我們要說的是，DDR3L這個(gè)概念主要是針對(duì)筆記本而言的，臺(tái)式機(jī)內(nèi)存暫不在本文討論范圍內(nèi)。從Haswell開始，“DDR3L”這種低壓版內(nèi)存走進(jìn)了我們的視野。問題來了，什么機(jī)器適合買DDR3L內(nèi)存？Haswell平臺(tái)的新品又能否兼容傳統(tǒng)1.5V的標(biāo)準(zhǔn)DDR3內(nèi)存呢？總之，和DDR3L內(nèi)存相關(guān)的兼容性問題，是每個(gè)筆記本用戶都需要了解的。
DDR3與DDR3L
筆記本內(nèi)存的標(biāo)簽上都合有一組“PC3-XXXXX”或“PC3L-XXXXX”的參數(shù)，其中PC3就代表該內(nèi)存為標(biāo)準(zhǔn)版的DDR3（圖1）工作電壓為1.5V；而PC3L則意味著該內(nèi)存為低壓版的DDR3L（圖2），工作電壓為1.35V（還有1.28V之說）。
在很多人的印象中，DDR3L是伴隨著2013年的Haswell（四代智能酷睿處理器）才出現(xiàn)的。實(shí)際上，在Haswell之前的上一代lvyBridge平臺(tái)（201 2年發(fā)布，下文簡(jiǎn)稱IVB，三代智能酷睿處理器）上，英特爾就加入了對(duì)DDR3L內(nèi)存的支持，包括聯(lián)想Yoga在內(nèi)的很多IVB平臺(tái)超極本就已經(jīng)武裝上這種低壓內(nèi)存了?？上В琁VB時(shí)代的DDR3L內(nèi)存還屬于“稀缺資源”，在2013年初市面上能買到的DDR3L內(nèi)存也就僅有鎂光( Crucial英睿達(dá))和三星黑武士等幾款而已。
到了Haswell時(shí)代，英特爾終于將DDR3L列入了標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存規(guī)范，基于該平臺(tái)設(shè)計(jì)的所有筆記本、超極本、超薄本都標(biāo)配著一條或多條DDR3L內(nèi)存。問題來了，Haswell平臺(tái)新品還能支持1.5V的標(biāo)準(zhǔn)DDR3內(nèi)存嗎？而低壓版的DDR3L又能否工作在Haswell平臺(tái)以外的筆記本身上呢？
擴(kuò)展閱讀：更持久的使用時(shí)間一直是筆記本不斷追求的核心賣點(diǎn)，CPU通過不斷降低的TDP來延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間，而內(nèi)存條則借助不斷降低的電壓來減小電池的消耗。從最早的SD內(nèi)存(3.3V)、DDR1( 2.6V)、DDR2( 1.8V)、DDR3( 1.5V)再到DDR3L(1.35V/1.28V)以及DDR3U( 1.25V)，內(nèi)存的“升級(jí)史”其實(shí)也是電壓的“降級(jí)史”，其目的就是減小耗電量和降低發(fā)熱量（性能不受影響）。此外，AMD最新的Richland APU平臺(tái)筆記本也支持DDR3L內(nèi)存。
DDR3L不局限于Haswell，并且多數(shù)情況下可以和DDR3混搭使用。
現(xiàn)在我們來回答前面提到的“低壓版的DDR3L能否工作在Haswell平臺(tái)以外的筆記本上？”
答案是肯定的， DDR3L內(nèi)存可以工作在非Haswell平臺(tái)，且并不限于前文提到的IVB，理論上Sandy Bridge（2011年發(fā)布，下文簡(jiǎn)稱SNB，屬于二代智能酷睿處理器）和更老的Calpella（2010年發(fā)布，第一代智能酷睿處理器）平臺(tái)筆記本的1 .5V內(nèi)存插槽也能識(shí)別這種低壓版的內(nèi)存。而且DDR3L與標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存互相兼容，可以混搭使用并正常工作在雙通道模式下。
究其原因，是DDR3L內(nèi)存的SPD芯片里會(huì)包含支持電壓的數(shù)據(jù)，可根據(jù)芯片組的內(nèi)存插槽的支持自適應(yīng)1.5V或1.35V的工作電壓。但是，正如前文所說，英特爾方面是從IVB開始才引入DDR3L內(nèi)存的支持規(guī)范，也就是說DDR3L只有安裝在2012年IVB或Haswell平臺(tái)才能工作在1.35V的低壓上，而安裝在更老的平臺(tái)時(shí)依舊只能以1.5V的電壓運(yùn)行，起不到節(jié)能環(huán)保的效果。此外，部分老款筆記本可能存在一定的“挑內(nèi)存”現(xiàn)象?？傊瑸榱吮苊獬霈F(xiàn)不可預(yù)見的兼容性問題，并且根據(jù)物盡其用的原則，我們只建議2012年下半年才上市的IVB和Haswell平臺(tái)新品與DDR3L內(nèi)存搭配，更老的平臺(tái)在購(gòu)買DDR3L內(nèi)存前一定要和賣家溝通，詢問一下兼容性問題，并得到不兼容可退換貨的許諾。
需要注意的是，DDR3L內(nèi)存普遍從單條4GB容量起步，甚至還有單條8GB的版本。但是，包括Calpella平臺(tái)在內(nèi)的老款筆記本（芯片組為HM55、GM45/PM45或更老），也就是2011年之前的機(jī)器最高僅支持單條4GB內(nèi)存。
選購(gòu)建議：
不管你的機(jī)器是否屬于Haswell平臺(tái)，盡量選擇DDR3L內(nèi)存，（前提是你的機(jī)器能正確識(shí)別DDR3L），一般來說2012年以后購(gòu)買的筆記本都能支持DDR3L。需要注意的是，DDR3L內(nèi)存在類似京東等電商平臺(tái)都能難找到，以此想要購(gòu)買DDR3L內(nèi)存的話，淘寶或天貓商城是最好的選擇了，不過注意千萬別買到假貨哦！
DDR3與DDR3L
圖1
圖2
筆記本內(nèi)存的標(biāo)簽上都合有一組“PC3-XXXXX”或“PC3L-XXXXX”的參數(shù)，其中PC3就代表該內(nèi)存為標(biāo)準(zhǔn)版的DDR3（圖1）工作電壓為1.5V；而PC3L則意味著該內(nèi)存為低壓版的DDR3L（圖2），工作電壓為1.35V（還有1.28V之說）。
在很多人的印象中，DDR3L是伴隨著2013年的Haswell（四代智能酷睿處理器）才出現(xiàn)的。實(shí)際上，在Haswell之前的上一代lvyBridge平臺(tái)（201 2年發(fā)布，下文簡(jiǎn)稱IVB，三代智能酷睿處理器）上，英特爾就加入了對(duì)DDR3L內(nèi)存的支持，包括聯(lián)想Yoga在內(nèi)的很多IVB平臺(tái)超極本就已經(jīng)武裝上這種低壓內(nèi)存了?？上В琁VB時(shí)代的DDR3L內(nèi)存還屬于“稀缺資源”，在2013年初市面上能買到的DDR3L內(nèi)存也就僅有鎂光( Crucial英睿達(dá))和三星黑武士等幾款而已。
到了Haswell時(shí)代，英特爾終于將DDR3L列入了標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存規(guī)范，基于該平臺(tái)設(shè)計(jì)的所有筆記本、超極本、超薄本都標(biāo)配著一條或多條DDR3L內(nèi)存。問題來了，Haswell平臺(tái)新品還能支持1.5V的標(biāo)準(zhǔn)DDR3內(nèi)存嗎？而低壓版的DDR3L又能否工作在Haswell平臺(tái)以外的筆記本身上呢？
擴(kuò)展閱讀：更持久的使用時(shí)間一直是筆記本不斷追求的核心賣點(diǎn)，CPU通過不斷降低的TDP來延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間，而內(nèi)存條則借助不斷降低的電壓來減小電池的消耗。從最早的SD內(nèi)存(3.3V)、DDR1( 2.6V)、DDR2( 1.8V)、DDR3( 1.5V)再到DDR3L(1.35V/1.28V)以及DDR3U( 1.25V)，內(nèi)存的“升級(jí)史”其實(shí)也是電壓的“降級(jí)史”，其目的就是減小耗電量和降低發(fā)熱量（性能不受影響）。此外，AMD最新的Richland APU平臺(tái)筆記本也支持DDR3L內(nèi)存。
DDR3L不局限于Haswell，并且多數(shù)情況下可以和DDR3混搭使用。
現(xiàn)在我們來回答前面提到的“低壓版的DDR3L能否工作在Haswell平臺(tái)以外的筆記本上？”
答案是肯定的， DDR3L內(nèi)存可以工作在非Haswell平臺(tái)，且并不限于前文提到的IVB，理論上Sandy Bridge（2011年發(fā)布，下文簡(jiǎn)稱SNB，屬于二代智能酷睿處理器）和更老的Calpella（2010年發(fā)布，第一代智能酷睿處理器）平臺(tái)筆記本的1 .5V內(nèi)存插槽也能識(shí)別這種低壓版的內(nèi)存。而且DDR3L與標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存互相兼容，可以混搭使用并正常工作在雙通道模式下。
究其原因，是DDR3L內(nèi)存的SPD芯片里會(huì)包含支持電壓的數(shù)據(jù)，可根據(jù)芯片組的內(nèi)存插槽的支持自適應(yīng)1.5V或1.35V的工作電壓。但是，正如前文所說，英特爾方面是從IVB開始才引入DDR3L內(nèi)存的支持規(guī)范，也就是說DDR3L只有安裝在2012年IVB或Haswell平臺(tái)才能工作在1.35V的低壓上，而安裝在更老的平臺(tái)時(shí)依舊只能以1.5V的電壓運(yùn)行，起不到節(jié)能環(huán)保的效果。此外，部分老款筆記本可能存在一定的“挑內(nèi)存”現(xiàn)象?？傊瑸榱吮苊獬霈F(xiàn)不可預(yù)見的兼容性問題，并且根據(jù)物盡其用的原則，我們只建議2012年下半年才上市的IVB和Haswell平臺(tái)新品與DDR3L內(nèi)存搭配，更老的平臺(tái)在購(gòu)買DDR3L內(nèi)存前一定要和賣家溝通，詢問一下兼容性問題，并得到不兼容可退換貨的許諾。
需要注意的是，DDR3L內(nèi)存普遍從單條4GB容量起步，甚至還有單條8GB的版本。但是，包括Calpella平臺(tái)在內(nèi)的老款筆記本（芯片組為HM55、GM45/PM45或更老），也就是2011年之前的機(jī)器最高僅支持單條4GB內(nèi)存。
選購(gòu)建議：
不管你的機(jī)器是否屬于Haswell平臺(tái)，盡量選擇DDR3L內(nèi)存，（前提是你的機(jī)器能正確識(shí)別DDR3L），一般來說2012年以后購(gòu)買的筆記本都能支持DDR3L。需要注意的是，DDR3L內(nèi)存在類似京東等電商平臺(tái)都能難找到，以此想要購(gòu)買DDR3L內(nèi)存的話，淘寶或天貓商城是最好的選擇了，不過注意千萬別買到假貨哦！
